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四代磁性傳感技術(shù)：

·第一代：Hall Effect Sensor——霍爾效應(yīng)傳感器

·第二代：AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向異性磁電阻傳感器

·第三代：GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁電阻傳感器

·第四代：TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁電阻傳感器

Hall工作原理

·電子在磁場中受洛侖茲力作用下偏轉(zhuǎn)，在磁場方向上形成附加的橫向電場，即霍爾電場

·縱向磁場感應(yīng)

AMR工作原理

·單磁層器件

· 平行磁場感應(yīng)

·1～3% △R/R

·工作在45°偏角

·電流在薄膜平面流動

·工作場范圍窄

GMR工作原理

·電阻取決于在薄膜界面中自旋電子的散射

·大部分電子不能形成散射

·室溫條件下，GMR的最大電阻變化率（△R/R）<20%

TMR工作原理

·TMR效應(yīng)利用了電子的自旋特性，電子在通過第二層磁性材料時，電子的自旋方向被定義；

·具有自旋的電子通過量子隧穿效應(yīng)穿過MgO（氧化鎂）絕緣層，然后有選擇性地穿過磁性層（自旋相同則通過——低電阻，否則不通過——高電阻）；

·室溫條件下，TMR的最大電阻變化率（△R/R）可達500%以上。

TMR的優(yōu)勢

·功耗低

·靈敏度/分辨率高

·工作范圍寬

·工作溫度范圍大

·高頻響，可達GHz