產(chǎn)品概述 | |
AMR4020 傳感器芯片內(nèi)部包含兩組推挽式惠斯通電橋，每組電橋由四只高靈敏度各向異性磁電 (anisotropic magnetoresistance, AMR) 傳感元件所組成。當芯片沿磁柵長度方向移動時，因 AMR 元件排布方式與磁極寬度相匹配，位移引起的磁場變化使兩組惠斯通電橋輸出兩路彼此正交的弦波信號；信號的周期為一個磁極寬度位移量。對這兩路弦波信號解碼可精確測量芯片與磁柵之間的相對位移。 芯片內(nèi)部結構有效地補償了傳感器的溫度漂移，提高了傳感器芯片在多種應用環(huán)境下的測量精度。AMR4020采用小型的DFN12L (6mm × 2mm × 0.75mm) 封裝，芯片內(nèi)部磁敏單元偏向封裝體一側，這種安排可減少對芯片安裝間距的限制要求，使應用系統(tǒng)的結構設計更加靈活，方便裝配至狹小空間。 |  DFN12L |
產(chǎn)品特性 | |
 各向異性磁阻 (AMR) 技術 | 寬工作電壓范圍 |
| 低飽和場 | 允許較大的測量間隙 |
| A、B 相模擬電壓輸出 | 良好的溫度穩(wěn)定性 |
| 優(yōu)越的抗外磁場性能 | 符合 RoHS & REACH |
典型應用 | |
| 增量式或絕對式編碼器 | 直線位移或角度位移編碼器 |
| 磁柵尺及磁編碼器 | |
