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Hall,AMR,GMR,TMR技術(shù)比較 - 磁傳感器知識 - 設(shè)計資料
磁傳感器知識

Hall,AMR,GMR,TMR技術(shù)比較

發(fā)布日期:2012年01月07日    瀏覽次數(shù):44027

四代磁性傳感技術(shù)

·第一代:Hall Effect Sensor——霍爾效應(yīng)傳感器

·第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向異性磁電阻傳感器

·第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁電阻傳感器

·第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁電阻傳感器


Hall工作原理

·電子在磁場中受洛侖茲力作用下偏轉(zhuǎn),在磁場方向上形成附加的橫向電場,即霍爾電場

·縱向磁場感應(yīng)


AMR工作原理

·單磁層器件

· 平行磁場感應(yīng)

·1~3% △R/R

·工作在45°偏角

·電流在薄膜平面流動

·工作場范圍窄


GMR工作原理

·電阻取決于在薄膜界面中自旋電子的散射

·大部分電子不能形成散射

·室溫條件下,GMR的最大電阻變化率(△R/R)<20%


TMR工作原理

·TMR效應(yīng)利用了電子的自旋特性,電子在通過第二層磁性材料時,電子的自旋方向被定義;

·具有自旋的電子通過量子隧穿效應(yīng)穿過MgO(氧化鎂)絕緣層,然后有選擇性地穿過磁性層(自旋相同則通過——低電阻,否則不通過——高電阻);

·室溫條件下,TMR的最大電阻變化率(△R/R)可達500%以上。


TMR的優(yōu)勢

·功耗低

·靈敏度/分辨率高

·工作范圍寬

·工作溫度范圍大

·高頻響,可達GHz