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磁傳感器
AMR2501 高精度低本底噪聲線性磁傳感器芯片
  • AMR2501-big
產(chǎn)品型號(hào):AMR2501
磁阻結(jié)構(gòu):/
供電電壓(V):1.8~12
靈敏度(mV/V/Gs):2.5
電阻(kΩ):0.7
飽和場(chǎng)(Gs):±4
敏感方向:Y軸
磁滯(Gs):0.02
本底噪聲(nT/rt(Hz) @1Hz):0.1
封裝形式:DFN16L
交付周期:In Stock

產(chǎn)品概述

AMR2501 采用獨(dú)特的推挽式惠斯通電橋結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),惠斯通電橋包含四個(gè)高靈敏度 AMR 傳感元件,獨(dú)特 AMR 惠斯通電橋結(jié)構(gòu)有效地補(bǔ)償了傳感器的溫度漂移。AMR2501 性能優(yōu)越,采用極小封裝形式 DFN16L (5 mm × 6 mm × 0.75 mm)。

auto_4092.pngDFN16L

產(chǎn)品特性

icon各項(xiàng)異性磁阻 (AMR) 技術(shù)icon寬工作電壓范圍
icon本底噪聲 100 pT/√Hz@1 Hzicon較低的飽和場(chǎng)
icon低磁滯icon優(yōu)越的溫度穩(wěn)定性
icon符合 RoHS & REACH

典型應(yīng)用

icon微弱磁場(chǎng)檢測(cè)icon電流傳感器
icon位置傳感器icon磁強(qiáng)計(jì)

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